美光科技
持仓中 研报最新评级:买入
入场区间
856.5 – 904.9
现价附近 · 依据 2026-10-19
止损
813.4
初始止损距离 -8.0%
计划满仓
9.4%
分三批 40% / 30% / 30%
成本 → 现价
884.1 → 896.1
+1.3% · 0.16R
支撑 / 阻力
856.5 / 917.2
ATR(14) 49.1
收盘价入场区间止损止盈 1● 买入(绿)/ 卖出(红)
买卖条件
- 已触发首仓:价格进入入场区间3.8%@ 904.9
- 待触发加仓 1:回踩支撑不破(收盘确认,次日开盘执行)2.8%@ 868.8
- 待触发加仓 2:放量突破阻力并站稳 2 日2.8%@ 917.2
- 待触发止盈 1:减仓 1/3,止损上移到成本@ 1,025.6
- 待触发止盈 2:再减 1/3,余仓交给移动止损@ 1,131.7
- 待触发止损:跌破即全部卖出@ 813.4
- 待触发时间止损:20 个交易日未达 +1R 且未加仓
买入论点与红线
- 生意卖DRAM/HBM/NAND存储芯片,赚供需周期价差;最新财年毛利率80.7%、净利率63.8%,正处景气高位
- 护城河HBM靠工艺与产能壁垒,研报称2027年供给大部分已签约;信息不足:缺份额与良率对比,无法判断变宽还是变窄
- 管理层信息不足:缺资本配置历史与指引兑现记录;内部人仅持0.24%,且近期有减持(研报认为是噪音)
- 安全边际前瞻PE约4.4倍(前瞻EPS 206.7对应TTM 74.3),研报认为已计入2027年后存储过剩;净现金约382亿美元
- 下行负债仅52亿美元、流动比率3.3,财务上难出事;但beta 2.23、周期回落时盈利弹性大,下行靠813.40机械止损
- 假设 1下季(约2026-12公布)营收同比仍>100%
- 假设 2季度毛利率维持≥70%(最新财年80.7%)
- 假设 3前瞻EPS共识3个月内下修不超过15%(基准206.7)
- 红线单季毛利率环比下滑超10个百分点,或指引毛利率<65%清仓
- 红线公司披露2027年HBM合约被削减、延期或重新议价清仓
- 红线前瞻EPS共识较206.7下修超25%,低PE的逻辑失效减半,重新估值
- 红线资本开支激增,自由现金流转负或净现金转为净负债减仓1/3
- 红线主要同行宣布大规模扩产HBM/DRAM,行业供给指引上调停止加仓,复核
时间线
- 首仓成交3.8%@ 885
- 入池 · Fwd PE 4.4 已把周期见顶充分定价,空头占比仅 2.3%,属于加息环境下"现金流最硬"的半导体;分批,跌破 200 日线 717.84 止损@ 904.9
研报评级记录
- 买入前瞻 PE 仅 4.4 倍,营收增速近 4 倍,是 AI 链利润最集中的环节之一;现价略高于 856–905 的入场区间,按止损 832.51 控制仓位分批
- 买入fPE 4.3 已按「2027 年后存储过剩」定价,HBM 2027 年供给大部分已签约;内部人减持是噪音,不改逻辑;现价高于候补区间 854–879,等回踩,止损 808.53
- 买入Fwd PE 4.4 已把周期见顶充分定价,空头占比仅 2.3%,属于加息环境下"现金流最硬"的半导体;分批,跌破 200 日线 717.84 止损
此前几轮
| 买入 | 卖出 | 成本 | 盈亏 | R | 卖出原因 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026-10-09 | 2026-10-13 | 1,028.1 | -9.3% | -1.30 | 止损 |
| 2026-08-06 | 2026-09-14 | 829.5 | +11.3% | 1.41 | 移动止损 |
| 2026-07-27 | 2026-07-28 | 865.5 | -8.2% | -1.02 | 止损 |
虚拟模型组合,按公开规则机械执行,不是真实交易,不构成投资建议。